新闻发布

科技发展日新月异，海量资料爆发性的增长，数据运算力的要求日益提高，记忆体需求也朝向更高容量、更快速度、更低功耗、更可靠等方向发展。

DDR5 SDRAM（第 5 代双倍数据传输同步动态随机存取记忆体）具有更高性能、更低功耗、更大容量和更强大的数据完整性的新特性。

与其前身 DDR4 SDRAM 相比，DDR5 SDRAM 具有更高的数据传输速度、高达 7,200 Mbps 的数据传输速度和晶片除错技术 (on-die ECC)，可以有效地处理作业上日益增长且更复杂的数据负载需求。

DSL memory 现在提供一系列的 DDR5 记忆体模组，以满足您下一世代的电脑应用需求。

满足产业与客户需求, 商越科技公司即日推出适用于PC, 笔记型电脑与企业伺服器应用的DDR4 3200MHz 高效能记忆体模组. 模组有UDIMM与SO-DIMM, 记忆体容量有4GB，8GB与16GB可供选择，随后将推出32GB与应用于严苛环境, 例如汽车与国防航太系统的模组.

商越科技公司旨在为其全球客户提供支援服务. DDR4 3200MHz记忆体模组解决方案将允许合作伙伴构建最先进的系统, 同时保持现有系统配置. 有关详细的产品资讯，请联系DSL销售团队.

商越科技DSL针对稳定运作极为严苛要求的网络储存服务器和小型工作站产业，提供可兼容于Intel miniserver平台的DDR4 ECC SODIMM优质产品，内建ECC侦错及修正功能，可增加运作时的稳定及可靠性。严选原厂最高等级颗粒，适用于NAS、医疗设备和小型工作站系统。DDR4系列1.2V低电压可降低内存耗电负荷，更有效率的提升性能，能维持系统在高速传输数据时更顺畅的运作。

各式规格量产供货中
Speed: DDR4-2133/2400/2666
Density: 4GB/8GB/16GB
Type: 260pin SODIMM ECC unbuffered

一种DRAM模组ECC结构功能改良，记忆体模组主要包括电路板及复数焊设于电路板上的记忆体单元，其中记忆体单元内建一修正错误记忆体(ECC，Error-correcting code memory)以及一资料储存空间(MDR，memory data register)，每一个记忆体单元均可针对资料储存空间中的资料进行资料是否错误需修正的判读，因此无须额外再将修正错误记忆体焊设于电路板，同时增加整体运算的速度，更重要的是本创作之DRAM模组ECC结构功能不会受限于主机插槽规、BIOS相对应设定、电脑是否支援等问题，且ECC可避免潜在资料错误所造成的系统当机或资料损毁，对一般大众使用者在设备无须升级的情况下，仅需更换本创作之记忆体即可轻易使用。

这支16GB DDR4-2133 SO-DIMM是新一代的SDRAM 模组，符合JEDEC规范。此系列产品有RDIMM、ECC-DIMM、UDIMM、ECC-SODIMM、SODIMM等多重技术方案，可支援伺服器、储存、网通等应用，与最新Intel、AMD笔记型、桌上型、伺服器等系列CPU相容。

新产品发表

JEDEC standard 1.2V ± 0.06V Power Supply
VDDQ = 1.2V ± 0.06V
16 internal banks (4 Bank Groups)
Programmable CAS Latency: 10,11,12,13,14,15,16,17,18
Bi-directional Differential Data Strobe
On Die Termination using ODT pin